Influencia del Campo eléctrico de la Frontera de Grano sobre el Borde de Absorción en Semiconductores Policristalinos - O’Reilly Lukin, M.; Iribarren, A. (Revista Cubana de Física, 2010)
En materiales semiconductores desordenados se observa un aumento del parámetro de las colas y un suavizamiento del borde de absorción. En los materiales semiconductores policristalinos la frontera de granos influye significativamente en las características del material. En el presente trabajo se modeló la influencia de un campo eléctrico debido a trampas ionizadas en la frontera de grano bajo la consideración de un efecto Franz-Keldysh (FKE) localizado y espacialmente dependiente en un grano esférico. El modelo reproduce y explica la contribución de este efecto al suavizamiento del borde de absorción en estos materiales. A partir del modelo el borde de absorción se extiende hacia energí- as por debajo de la energía de la banda prohibida, lo que constituye un aspecto importante a tener en cuenta en el análisis de esta región. Una comparación del modelo con mediciones experimentales en películas de CdTe policristalino fue también realizado con el fin de estimar el peso del FKE en las colas de las bandas de energía.